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HVDIODE廠家生產多孔高壓硅堆2CL120KV-5.0A原油脫水專用軍工品質
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產品描述
HVDIODE品牌多孔型高壓硅堆系列產品，是由多個微型單元PN結芯片組合構成的高壓整流器件，實現高耐電壓的層狀單元結構；
此種組結構外部為多孔結構設計，大大提高了高壓硅堆的表面積，進而提高了多孔型高壓硅堆的散熱效果。
產品參數范圍：
反向耐壓：80KV～200KV;
正向電流：1A～10A;
反向恢復時間：200nS～2000nS.
工作頻率：50Hz～50KHz.
本系列產品主要特點：
1、低反向漏電流、瞬態10mS正向浪涌電流保護；
2、耐沖擊電壓、具有雪崩電壓擊穿保護特性；
3、優良的持續放電特性；
4、高耐熱性能，PN結點溫度范圍高達125℃～175℃；
5、可選先進的高溫玻璃鈍化芯片封裝技術；
6、工藝環保，符合國際標準；
7、嚴格執行ISO9001國際質量管理體系把控產品品質；
8、新型模塑封裝技術，確保產品的耐潮濕性能，可承受嚴酷惡劣的使用環境；
9、亦可根據需要設計定制客戶的專屬產品。
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極 限 值 Absolute Maximum Ratings |
參數名稱 Item |
符號 Symbol |
單位 Unit |
測試條件 Conditions |
數值 Voltage |
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反向重復峰值電壓 Repetitive Peak Backward Voltage |
Vrrm | KV | Ta=25℃ Ir=0.1μA | 120 | ||
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反向工作峰值電壓 Peak Working Backward Voltage |
Vrwm | KV | Ta=25℃ Ir=0.1μA | 120 | ||
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正向平均電流 Average Forward Current |
If(AV) | A |
正弦半波50Hz，電阻負載，Tbreak=50℃ （50Hz Half-sine Wave , Resistance load @Tbreak=50℃） |
5 | ||
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反向恢復時間 Backward Recovery Time |
Trr | nS | -- | |||
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正向(不重復)浪涌電流 Surge Forward Current |
Ifsm | A |
正弦半波持續時間0.01S 50Hz 0.01S @ Half-Sine wave 50Hz |
150 | ||
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工作環境溫度 Operating Ambient Temperature |
Ta | ℃ | -40～+150 | |||
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存貯溫度 Storage Temperature |
Tstg | ℃ | -40～+120 | |||
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電 特 性 Electrical Characteristics |
正向峰值電壓 Forward Peak Voltage |
Vfm | V | ≥140 | ||
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反向峰值電流 Backward Peak Current |
Irrm1 | μA | @ Ta=25℃ VRM=VRRM | 5.0 | ||
| Irrm2 | μA | @ Ta=100℃ VRM=VRRM | 50.0 | |||